ZnO是一种宽禁带的半导体材料,具有多种多样的一维纳米结构,并且这些纳米结构基本上都是单晶,比起其薄膜结构具有更低的缺陷。由于具有这些特点,一维ZnO纳米结构成为构筑纳米光电器件的结构单元,显示出广阔的应用前景。本论文主要针对一维ZnO纳米结构在构造纳米光电器件过程中,纳米线与纳米线之间的接触控制,纳米线顶端电极的制备,以及电化学生长ZnO纳米柱异质结等问题开展了研究工作,并取得如下结果:(1)采用低温电化学沉积方法在p型Si和GaN衬底上生长出高质量ZnO纳米柱阵列;使用气相输运方法得到了无衬底的ZnO纳米线阵列。(2)利用水的毛细力作用,实现了相邻ZnO纳米线的连接;并观测到ZnO纳米线具有良好的柔性,其弯曲角度接近直角。(3)利用纳米柱顶端曲率半径小,顶端电势比表面电势高的特点,通过采用电化学方法实现了ZnO纳米柱上Ni纳米团簇的可控生长。研究发现在低电位下Ni纳米团簇生长在纳米柱的顶端;而在高电位下, Ni纳米团簇包覆ZnO纳米柱表面,形成Ni/ZnO核-壳结构。(4)采用电化学方法制备了n-ZnO纳米柱/p-CuSCN异质结,获得了典型的二极管I-V曲线。并通过改变生长参数,首次生长出CuSCN的微米柱阵列,实现了微米柱阵列的可控生长。