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逆阻型（Reverse Blocking,RB）IGBT具有双向耐压能力,在T型逆变器、矩阵逆变器应用中可降低系统元件数、损耗和冗余度,有效提高系统电能转换效率和可靠性。NPT IGBT在长的漂移区下能实现双向阻断能力,但器件正向导通压降(Von)和关断损耗(Eoff)大。FS IGBT由于N-buffer的存在,能改善器件Von-Eoff折中特性,但不具备对称双向阻断能力。为解决以上问题,本文提出两种RB-IGBT器件。1.提出一种具有短路集电极场板的RB-IGBT。器件主要结构特征为:短路集电极场板（Shorted Collector Field Plate,SCFP）;在集电极区的非连续高掺杂N2层;发射极端高掺杂N1层。正向阻断时,发射极端槽辅助耗尽作用使耗尽区在N1下方横向和纵向扩展,提高漂移区电场,并有效屏蔽高场对反偏主结J1的影响,避免J1提前击穿,实现高正向阻断电压（Forward Breakdown Voltage,BVF）。反向阻断时,SCFP的辅助耗尽作用促使耗尽区在N2之间横向和纵向扩展,降低J2高电场的同时抬升漂移区中电场,最终电场被发射极端槽和N1共同截止,实现高反向阻断电压（Reverse Breakdown Voltage,BVR）。高浓度N1可作为载流子存储层,提升漂移区载流子浓度,器件实现低的Von。关断过程中,电子通过SCPF在N2中形成的低电阻通道被抽取,提高关断速度降低Eoff,获得更好的Von-Eoff折中特性。相比NPT RB-IGBT,Eoff降低了67.2%,相比BEFE RB-IGBT,Eoff降低了49%。2.提出一种具有集电极辅助槽栅的RB-IGBT。器件主要结构特征为:发射极端引入分裂槽栅和高浓度N1层,集电极端引入集电极辅助槽栅（Collector Assisted trench Gate,CAG）。正向导通时,CAG相对集电极接低电位,增强空穴注入效率,N1同时起载流子存储作用,降低器件Von。正向阻断时,CAG上电压值为正,在槽壁形成电子积累层,等效为N-buffer层,电场被有效截止,提高器件BVF。与FS IGBT相比,反向阻断时,BVR不再受限于高浓度N-buffer,且电场能被N1和发射极端槽截止,器件BVR高。器件关断时,分裂栅结构能缩短器件关断延迟时间,CAG上的电位提前切换为正值使得槽壁周围产生电子积累层,形成抽取电子的低阻通道,加快器件关断速度并降低器件关断损耗。通过仿真验证,器件的Von和Eoff均远小于NPT RB-IGBT,相比于SJ SCT RB-IGBT,Eoff降低了52%,相比BEFE RB-IGBT,Eoff降低了85%。