聚硅烷是一类链骨架中仅含硅原子的高聚物，具有独特的性质和用途。作为陶瓷前驱体，经高温裂解制备碳化硅陶瓷材料是其用途之一。本论文采用电化学法合成陶瓷前驱体聚硅烷，利用前驱体转化法制备碳化硅，来改进C/C复合材料的抗氧化性能。论文主要工作为聚硅烷的电化学合成研究以及聚硅烷的陶瓷化研究。 在电化学合成部分较系统地研究了电化学合成聚硅烷的影响因素(单体，支撑电解质，助剂和电量)，并对其反应动力学进行了研究，初步探索了其反应机理。用IR、UV、GPC等表征分析了产物性能。结果表明：AlCl3或溴化蒽三氯化铝离子液体作为支撑电解质，在溶剂中有更高的导电率，能取代传统的LiClO4。采用单体CH3HSiCl2，CH3SiCl3，PhSiCl3和(CH3)2SiC]2，均能合成出液态聚硅烷，在四种单体中PhSiCl3的反应最快。在CH3HSiCl2和CH3SiCl3的共聚反应中，预聚方式比混聚方式合成的聚硅烷更符合浸渍要求。当电量达到理论电量的15％后，所有单体的反应速率已经很慢；在研究的三种引发剂中，对二溴苯对增加反应速率的作用最显著。 在陶瓷化研究中，探索了聚硅烷交联固化的工艺条件，并将其应用于改性C/C复合材料。结果表明：交联固化体系的最佳配比为，PS/DVB等于1/0.5；最佳固化温度在200℃；交联固化样品烧结裂解反应主要发生在450℃左右；聚硅烷具有良好的浸渍性，可充分浸渍到C/C复合材料的内部孔隙，经过多次致密化后，可将C/C复合材料转化为C/C-SiC复合材料。