【摘 要】
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本文从减少器件生热的角度出发,设计并制作了一种980nm内腔接触式VCSEL。采用器件模拟软件PICS3D分别模拟了传统结构和内腔接触式结构器件相同外延生长情况下的输出特性。经
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本文从减少器件生热的角度出发,设计并制作了一种980nm内腔接触式VCSEL。采用器件模拟软件PICS3D分别模拟了传统结构和内腔接触式结构器件相同外延生长情况下的输出特性。经模拟与计算得到,内腔接触式VCSEL的微分电阻为20Q、阈值电流为6.23mA,比传统VCSEL分别降低了约3.33Q和29%。经实验测得,内腔接触式VCSEL的微分电阻为23Ω、阈值电流为8.75mA,比传统结构器件的微分电阻降低了3.2Ω、阈值电流降低了34%,实验测试结果与模拟结果基本吻合；同时测得内腔接触式VCSEL的最大输出功率为11.8mW,比传统结构器件的最大输出功率提高了37%。模拟与实验结果均表明内腔接触式VCSEL不仅有具有良好的热特性,而且还有更好的光电性能。
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