瞬态电压抑制器(TVS),就是一种基于二极管形式的高效保护器件,用来保护电路中的敏感器件不受各种形式的瞬态高压冲击。随着5G高速移动技术的即将到来、现有4G网络及车联网、物联网的发展,以及智能手机、平板电脑等便携式设备持续增长所带来的高带宽需求及高速多媒体数据端口的广泛应用,市场急需具有超低结电容、超轻薄封装的高速TVS以实现对其接口电路的防静电保护。高速深槽TVS则是为了实现超低结电容的电特性要求及超轻薄封装的尺寸要求,利用深槽隔离及近本征掺杂技术,在同一颗芯片上集成了一颗雪崩二极管和两颗PIN二极管。其芯片结构尺寸小、芯片内部有深槽隔离、表面焊盘尺寸小、表面铝层不平坦,其封装难度较大。本论文就是以这种特定的TVS为研究对象,对其在DFN0603无引脚超轻薄封装过程中的晶圆切割、芯片粘合、铜线键合工序进行了试验和设计,降低其封装测试过程中的质量风险。本论文的主要研究方法有:(1)对芯片、封装材料、夹具进行特性研究及比较。(2)对封装过程中的失效及潜在质量问题进行分析和试验,找出根本原因。(3)对关键参数通过工程实验设计(DOE)找到最优组合方案并加以验证。本论文研究得出的重要结论有:(1)高粘合力的UV膜可以改善超小芯片在晶圆切割过程中因吸附力不足而导致的正面崩缺和背面崩缺问题。(2)间隔多行的划片方式可以改善超小芯片因“面周比”不足而导致的单位面积吸附力不够、切割应力增加的问题,可以减少深槽结构附近的芯片崩缺。(3)芯片粘合工序的“Z方向高度补偿”功能可以减小细口径吸咀的磨损速度来提高生产过程的稳定性,同时也能对超小尺寸芯片粘合后的银浆厚度(BLT)实施很好的控制。(4)通过对铜线键合工序实施分阶段控制焊接压力、超声能量的参数设定方法,可以减少铜线在小尺寸芯片键合过程中的焊球脱落、芯片弹坑缺陷问题。本论文通过对以上几方面的研究,使得该高速深槽TVS芯片在超轻薄DFN0603封装中得以实现。产品特性及可靠性满足要求,具备量产条件。