目前,红外传感器技术在军事及民用等诸多领域具有广泛的应用前景。由于测辐射热计具有重量轻、动态范围大、响应线性度好、无需制冷和斩波设备而使成本低等优点,从而成为主流的非制冷红外热探测器之一热敏感薄膜是微测辐射热计的核心部分,但将其应用于红外热成像探测却鲜有报道。目前,红外探测器核心部件仍然完全依靠进口,因此研制具有高TCR和适当的室温电阻值,且该制备工艺重复性好、与微电子工艺兼容的热敏薄膜,打破国外的技术垄断,具有重要意义。由于金属材料用做热敏电阻时,相较于半导体材料,虽然TCR较低,但具有材料丰富、线性范围宽、较低的噪声、与硅集成工艺兼容性好等优点。本文采用磁控溅射法制备金属热敏薄膜,材料选用高纯(99.99%)的Ni、Ti、Al、Cr、TiW以及Pt,用四探针电阻特性测试仪测量所制备的热敏薄膜的电阻特性,从而计算TCR。重点研究工作气压、氩气流量、溅射功率及退火工艺等工艺参数对热敏薄膜TCR的影响。实验和测试结果表明,沉积工艺参数和热处理工艺对薄膜的性能有重要影响,通过比较发现,Pt膜热敏电阻的电阻温度特性最好,性能最稳定。Pt膜沉积和热处理的最佳工艺参数为：氩气流量100sccm,工作气压0.8Pa,溅射电流0.08A,热处理温度300℃,热处理时间2h。在此条件下,Pt测辐射热计的薄膜方阻为120Ω/□,TCR为0.911‰/K,且重复性好,性能稳定。