纳米科学与技术的发展使得以硅为基底的微电子集成技术正在向纳米电子学推进。此外还将引入光信号,使之向纳米光电子集成发展。为此制备尺寸均匀、空间分布有序的硅基纳米发光材料和结构就显得非常重要。通过自组织作用形成的多孔氧化铝以其特有的有序纳米孔列阵结构引起了人们广泛的重视。同时阳极氧化多孔铝膜已被成功地移植到硅基上,这样就可以以此为模板或掩模,利用各种物理化学方法制备硅基纳米复合材料以及在硅基上制备了量子点列阵。这些结果对纳米电子学、光电子学的研究将会产生深刻的影响。本论文以硅基多孔氧化铝膜为基础,侧重于通过化学和物理方法的结合制备硅基纳米发光材料和结构,主要包括以下几部分内容:1.利用硅基多孔氧化铝膜的吸附性能,用化学沉积法制备了C60/多孔硅以及C60/硅基多孔氧化铝两种硅基介孔复合物并研究了它们的发光性质。结果表明C60的毗联可以影响多孔硅的发光性质,但对硅基多孔氧化铝的发光基本不产生影响。此外,同样利用这种模板的吸附性能我们将三种不同波长的荧光染料分别嵌入硅基多孔氧化铝模板中,并且在室温下得到了蓝光、绿光、红光波长的荧光发射。实验中同时观测到上述荧光光谱的蓝移现象。研究结果表明C60分子或荧光染料沉积在不同的模板,如硅基多孔氧化铝、多孔硅中,其相互之间的作用机理是不同的。模板发光机制的差异将直接影响嵌入物质的发光性质。重要的是在硅基纳米多孔氧化铝模板中嵌入发光介质可以得到纳米尺寸的发光点或列阵。2.聚乙二醇(PEO)作为一种化学模板可以为纳米晶粒的成核及生长提供一个限制的环境。我们首先研究了PEO的包封特性对生成的CdS晶粒尺寸及光学性质的影响,结果表明生成的CdS纳米晶粒的尺寸可以通过调节Cd2+与PEO两相之间的相对浓度进行控制。受量子尺寸限制效应的影响,CdS纳米晶粒的紫外吸收光谱和荧光发射光谱都发生相应的蓝移。我们进一步将化学模板-聚乙二醇与物理模板-硅基多孔氧化铝相结合,即将PEO包封的CdS纳米晶粒填入硅基多孔氧化铝的孔中,制备了PEO包封的CdS纳米晶粒并研究了它们的发光性质。利用硅基多孔氧化铝模板的有序性可以控制CdS纳米晶粒的空间排列,而利用PEO的包封特性则可以控制CdS纳米晶粒的光学性质。这种设计思想为制备性质可控的硅基半导体纳米晶复合结构提供了一种方便的途径。3.在硅基多孔氧化铝模板的基础上,我们在硅基底与铝膜之间引入了一薄的金层,通过阳极氧化制备了一种新型的Au/Si基AAO模板,并适时监测其反应过程的电流-时间曲线,研究了该模板的形成过程。这种模板具有优良的电学性质并且可以与被沉积物形成良好的接触。作为一个应用的实例,我们通过非水电化学沉积的方法制备了具有一定发光性能的CdS纳米线。4.利用多孔氧化铝膜对基底的掩膜作用,制备了硅基SiO2岛列阵。受此启发,制备了Cu纳米点列阵,并简要讨论了这些结构可能的用途。5.利用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积了500 nm厚的铝膜,分别在硫酸、磷酸和草酸中通过阳极氧化技术制备了硅基多孔氧化铝模板。通过透射电镜(TEM)观测了形貌,并测定了它们的光致发光光谱(PL)。结果表明利用不同的酸性电解质得到的多孔氧化铝模板的发光现象是不完全相同的。基于这种思路,采用了其它的酸性电解质,如磺基水杨酸或在酸性电解质中预先加入有机荧光物质罗丹明6G,得到了不同发光特性的硅基多孔氧化铝膜。结合过去的理论,对上述荧光光谱的来源以及变化进行了讨论。多孔氧化铝的发光一般都来自于与氧空位有关的缺陷态F+,但它的复合过程会受到体系中的杂质能级或其它发光物质的影响。来自电解质中的物质在阳极氧化的过程中会参与氧化铝膜的形成,进而改变氧化铝膜的成分,并影响其发光过程。6.开展了其它与纳米发光半导体制备有关的工作:利用环糊精对热分解前体醋酸锌的包结作用,制备了尺寸分布均匀并具有一定发光性质的ZnO纳米晶粒,并研究了相关机理。