基于ARM的移相全桥DC-DC变换电路软开关的研究

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随着电力电子技术的发展,开关电源越来越趋向于高频化。这是因为开关频率低时,其低次谐波离基波更近,使得滤波电感的体积和重量更大,因而高频化具有多方面的优点:如提高功率密度、降低噪音、减少材料的体积和重量等。但是功率器件的开关损耗又与开关频率成正比,开关频率越高就导致整机效率越低,这是高频化的缺点之一,为解决这一问题人们提出了软开关技术。移相全桥DC-DC变换器利用变压器漏感或者外加谐振电感与开关管结电容或者并联谐振电容实现功率器件的零压开通,大大降低功率器件的开关损耗。移相全桥DC-DC变换器的工作频率高,控制简单,可靠性高,已经成为目前大功率高频开关电源最常用的拓扑结构。论文分析了基本的移相全桥DC-DC变换电路的工作原理,研究了移相全桥DC-DC变换电路滞后臂实现软开关的三个必要条件。针对移相全桥DC-DC变换电路的缺陷,给出了两种改进的移相全桥DC-DC变换电路,分别为在滞后臂并联有源缓冲电路和在逆变输出端串联饱和电感的方案。结合实际应用要求,设计了移相全桥DC-DC变换电路谐振元件和饱和电感的参数,基于Matlab/Simulink建立了移相全桥DC-DC变换电路控制系统的仿真模型,在仿真中采用了一种电感并联开关的方案代替饱和电感,并进行了仿真研究,验证了移相全桥DC-DC变换电路参数计算的正确性。基于意法半导体的ARM芯片STM32F103设计了移相全桥DC-DC变换电路的硬件控制电路和软件系统,构成一个双闭环数字控制系统,给出了基于STM32F103的移相全桥DC-DC变换电路的实现方案。实验结果证明了电路参数设计的合理性,实现了软开关,从而验证了方案的正确性。
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