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对SnO2:F、ZnTe:Cu化合物半导体多晶薄膜和CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池进行电子辐照,研究辐照能量、注量对薄膜性质和器件性能的影响,可明晰多晶薄膜和器件的损伤机制,这对发展新型抗辐照、稳定和低质量功率比的空间太阳电池有重要意义。对化合物半导体多晶薄膜的电子辐照研究结果表明,SnO2:F薄膜在受到1MeV不同注量的电子辐照后,除了霍尔系数在辐照后出现增长的趋势外,载流子浓度和迁移率均减小,出现了非线性的变化趋势。而ZnTe:Cu薄膜受到电子辐照后,迁移率及霍尔系数都明显降