【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，其激子能够在室温及以上温度下稳定存在，是制备半导体激光器(LDs)、发光二极管(LEDs)的理想材料。ZnO还是现今发现的纳米结构最为丰富的材料；ZnO的纳米结构在制备纳米光电子器件和纳米电子器件方面有很好的应用价值；另外，ZnO的纳米结构还可以在场发射、医疗、生物传感等领域得到应用。为实
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氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，其激子能够在室温及以上温度下稳定存在，是制备半导体激光器(LDs)、发光二极管(LEDs)的理想材料。ZnO还是现今发现的纳米结构最为丰富的材料；ZnO的纳米结构在制备纳米光电子器件和纳米电子器件方面有很好的应用价值；另外，ZnO的纳米结构还可以在场发射、医疗、生物传感等领域得到应用。为实现纳米ZnO在微纳电子器件和发光器件方面的应用，首先需解决纳米材料的非金属催化剂
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