压电陶瓷是一种可以将机械能与电能相互转换的功能材料，因为力学性能比较好和压电性能比较稳定等优点，可以作为一种重要的光、热、力、电敏感功能材料，广泛运用于信息、航天、电子等领域。随着压电器件应用的研究和发展，压电陶瓷的高性能、宽的准同型相界、高的温度稳定性更加引起研究人员的注意。本文选取xPb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-（1-x）Pb(Ti_0.6Hf_0.4)O₃（简称xPNN-（1-x）PTH）体系压电陶瓷作为研究对象，经过前驱体的合成、预烧、成型压片、烧结、烧渗银和极化等工艺制备了9个不同PNN含量的xPNN-（1-x）PTH压电陶瓷。本文通过室温下XRD衍射图谱可以确定xPNN-（1-x）PTH系列的准同型相界在x=0.30-0.31.5的组分。我们通过变温XRD衍射图谱确定了各组分下三方相与四方相共存的温度范围，在x=0.25-0.28时，两相共存在105-150℃；x=0.29时，两相共存在60-105℃；x=0.30-0.315时，两相共存在30-105℃；x=0.32-0.33时，不存在两相共存。我们通过SEM图像看到断面的压电陶瓷PNN-PTH：气孔率非常小、晶界清晰、颗粒度在1-5μm之间、致密度高。本文研究了不同的PNN含量对压电陶瓷xPNN-（1-x）PTH的性能的影响，经过对xPNN-（1-x）PTH压电陶瓷各项性能的测量、数据的分析，我们得到的结论如下：xPNN-（1-x）PTH压电陶瓷随着PNN含量的增加，相对介电常数ε₃₃/ε₀、介电损耗tanδ、剩余极化强度Pr、压电常数d₃₃、机电耦合系数K_p都先增大到最大值后减小，其中xPNN-（1-x）PTH压电陶瓷在准同型相界时各性能达到最大值为：ε₃₃/ε₀=3800、 tanδ=2%、 Pr=35.1mC/cm²、d₃₃=795pC/N、K_p=0.7128。居里温度与PNN含量x呈线性关系，随着x的增加居里温度T_c从x=0.25时的T_c=225℃逐渐变小直到x=0.33时的T_c=191℃；随着PNN含量x的增加，矫顽电场强度Ec逐渐减小，在x=0.25时取得9.53KV/cm和x=0.33时取得6.18KV/cm。