直流偏置下基于基波的磁屏蔽斩波式TMR传感器研究

来源 :华中科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuxiaohua
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
隧道磁电阻(TMR)传感器具有灵敏度高、体积小、功耗低等优点,在医疗诊断、无损探伤、微纳卫星等领域具有广阔的应用前景。但它的低频噪声较大,限制了分辨率的提高。为此,国内外围绕TMR传感器研究了多种降噪技术,主要包括:增加传感器桥臂的磁电阻单元个数、利用Sigma-Delta调制电路降低传感器的输出噪声、斩波调制传感器周围的磁场而后解调斩波信号。其中,磁屏蔽斩波降噪技术无需改变传感器的器件结构,且具有信号调理电路简单的优点。现有的磁屏蔽斩波降噪主要利用二次谐波法提取磁信号,本文通过研究发现,施加直流偏置磁场后,基于基波检测的传感信号灵敏度高于二次谐波,且降噪能力更好,这对设计高分辨率TMR传感器具有指导意义。
  首先,设计了针对TMR传感器的基波式磁屏蔽斩波测量系统:将传感器置于软磁材料制作的微小磁屏蔽筒内,沿圆筒轴向施加带有直流偏置的交变电流,从而在壁内产生单向环路磁场,通过控制电流大小使软磁材料每周期单次过饱和,由于屏蔽系数周期变化导致筒外低频磁场被调制成筒内高频磁场,这样TMR传感器的测量信号和低频噪声实现了频率分离,再利用解调电路可还原出低频磁场信号并抑制传感器的低频噪声。为进一步阐明该系统的工作机理,采用电磁学方法建立了磁屏蔽斩波式TMR传感器的信号输出模型。接着设计了磁屏蔽斩波测量系统的调制解调电路,其基于锁相放大原理实现,具体包括信号激励、前置放大、带通滤波、相敏检波和低通滤波五个电路模块。
  为了验证基波式磁屏蔽斩波测量系统的降噪能力,本文针对实验用TMR传感器及其调制解调电路各模块,建立了噪声等效模型。通过分析TMR传感器的热噪声、散粒噪声和1/f噪声,计算了传感器本底噪声;通过分析元器件噪声和放大电路噪声系数,计算得到调制解调电路噪声。仿真结果显示,磁屏蔽斩波式TMR传感器噪声低于调制前传感器本底噪声,并且基于基波检测的斩波测量系统降噪能力强于二次谐波,这表明施加直流偏置可以提高磁屏蔽斩波测量系统的降噪性能。
  本文制作了微小磁屏蔽筒和焊有TMR传感器的调制解调电路板,并将二者装入加工的壳体内进行封装。利用实验室的磁传感器测试平台,对磁屏蔽斩波测量系统进行了测试研究。首先,测试了磁屏蔽筒剩磁对测量系统的影响,发现它会增大零偏,实验结果表明通过消磁方法抑制剩磁可解决该问题;其次,理论分析了偏置电流幅值、交变电流幅值、交变电流频率和屏蔽筒壁厚对测量系统的影响,并通过实验方法进行了验证;最后,针对单轴传感器TMR2102和三轴传感器TMR2305M,测量了优化后磁屏蔽斩波系统的灵敏度、线性度及噪声特性。结果表明:(1)对于TMR2102,基于基波检测的信号灵敏度是31.5V/T,线性度优于1%,噪声特性为4.07nT/√Hz@1Hz,相比无调制时噪声降低了80%;而基于二次谐波检测的信号灵敏度是5.71V/T,线性度优于1%,噪声特性为12.56nT/√Hz@1Hz,相比无调制时噪声降低了53%。(2)对于TMR2305M,在基波检测的情况下,X轴降噪效率为56%,Y轴降噪效率为77%,Z轴降噪效率为78%。上述测试结果证实,磁屏蔽斩波测量系统实现了降噪功能,且基于基波检测的降噪效果优于二次谐波,径向斩波的降噪效果优于轴向斩波。
其他文献
电热材料是一种将电能转换成热能的材料,在航空航天器设备保温、输送管道防冻以及民用电暖等方面已经得到了广泛应用。在众多电热材料中,有一类材料不仅有着将电能转换成热能的能力,同时还有具有正温度系数(PTC)效应,即它们的电阻率会随温度上升而迅速增大,可以实现自限温加热。这类PTC效应自限温电热材料无需外加控温电路,与传统电热材料相比有更高的可靠性和更低的制作成本。在常见的PTC材料中,聚合物基导电复合
高能射线探测器需要材料具有较大的原子序数,能够有效地阻挡高能射线并吸收其能量,并且需要材料具有较高的载流子迁移率和较高的电阻率来保证低的探测噪声和高的灵敏度,CsPbBr3作为新兴的高能射线探测材料,凭借大的禁带宽度、高的平均原子序数及高的电阻率和载流子迁移率,引发广泛的研究热潮。本文主要的研究内容分为三个方面,首先通过改进的双温区电控梯度法生长高质量的CsPbBr3单晶并对质量进行表征,其次制备
太阳能热光伏(STPV)系统利用光谱调控模块实现太阳辐射能量的选择吸收再发射,可以大幅提高光伏电池的能量转换效率,在光电能量转换方面得到了广泛的关注。本文聚焦于STPV系统光谱调控模块中选择吸收器与选择发射器的结构优化设计,分别采用多层薄膜结构与二维光子晶体结构实现应用于光谱调控模块的性能优化,获得的主要研究结论概括如下:  探讨了多层膜系中介质膜对于下层反射率的影响,设计了一种减反层与增反层组合
学位
吸收剂是吸波材料电磁波吸收性能的主要来源,随着吸波材料在军事和民用领域的广泛应用,获得更高性能的吸收剂以构建吸收带宽大、吸收能力强、重量轻、厚度薄的吸波材料成为重要的研究方向。本文从吸收剂的组成、结构、电磁特性设计调控着手,开展新型电-磁复合吸收剂和介电-介电复合吸收剂制备,探讨多组分复合吸收剂电磁参数的调控及其构成吸波材料的吸收频带和损耗性能优化。主要研究及结论如下:  采用改进的st?ber法
相变存储器(Phase Change Memory),作为新型非易失性存储器,具有读写速度快、存储密度高、抗辐照和多值存储等优点。相变存储单元不仅可以取代传统存储单元还成为了神经形态计算芯片的有力竞争者。但相变材料的相变速度、操作功耗以及热串扰问题是影响相变存储器性能的重要因素。通过寻找新型相变材料可以优化相变存储器的性能,而相变超晶格材料就是主要的研究方向之一。  本文基于Bi2Te3和Sb2T
吸波材料,是一种可以将电磁波能量转化为热能或其它形式能量损耗掉的功能材料。鉴于电磁污染防护与军事隐身技术的需要,研发高性能电磁波吸收材料迫在眉睫。吸波材料的有效损耗成分是其中的吸收剂,单一组分的吸收剂难以实现“薄、轻、宽、强”的要求。本文从多种损耗特性的角度出发,以高电损耗型材料为基础,开展新型电/磁复合吸收剂的制备。文中详细地分析了复合吸收剂的结构、形貌和组分,并对其电磁特性特别是吸波性能进行了
学位
随着超高速信息化时代对MOS器件性能需求的不断提高,Si基MOSFET的持续小型化变得越来越困难,已经逐步逼近其物理极限。而相较Si而言,Ge材料具有更高的空穴和电子迁移率,特别是空穴迁移率,使其成为极具研究意义的衬底材料。然而,将高k栅介质/衬底的结构方案直接从Si基上移植到Ge上却遇到极大的阻碍,即高k栅介质层与Ge表面的界面质量问题。本文主要围绕La系氮氧化物作界面层,Gd掺杂Hf基氮氧化物
学位
二维过渡金属硫族化合物(TMDs)由于天然的带隙、层状特性和优异的电学性能,近年来被国内外学者广泛研究。硫化钼(MoS2)是TMDs材料中研究最早的材料之一,单层MoS2薄膜仅原子层厚并表现出1.8eV的直接带隙。MoS2薄膜优异的机械延展性、光学电学特性以及催化性能,使其在各个领域内都受到广泛的关注。实现MoS2薄膜高质量大面积制备和有效低损伤的p型掺杂是实现其实际应用的基础。  在众多制备Mo
为了满足信息技术的日益发展和应用要求,存储器必须达到更高的性能。阻变存储器以其高响应速度、低功耗、高集成密度、与CMOS工艺兼容等优点进入人们的视野,不仅以更高速便捷的方式完成存储任务,又可将计算与存储相结合完成存内计算,必将在未来的信息存储及人工模拟神经元与神经网络计算领域占据重要一席。然而,不稳定且不可控的阻变过程一直是阻碍它正式走入应用的最大问题之一,因此对于新器件结构的探索、新材料的启用及
近年来,金属卤化物钙钛矿纳米晶(NCs)因其具有低成本溶液工艺,荧光量子产率高(PLQY)(~100%),发射线宽窄(12~42nm),色域广(~140%NTSC)等优点,被广泛应用于发光二极管(LED)、太阳能电池(PV)、光电探测器等光电器件领域。近来,全无机钙钛矿NCs作为闪烁体在X射线探测与成像领域展现出巨大的应用潜力。然而,有毒元素铅的存在阻碍了钙钛矿NCs光电器件的商业化发展。其次,由
学位