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大规模集成电路技术和终端显示技术已成为高速发展的信息化社会的支柱技术。传统的半导体工艺存在制备工艺复杂、不适合于柔性衬底和大面积生产以及生产成本高等不足。有机半导体材料由于具有轻质、廉价以及可与柔性衬底相兼容等诸多优点而广泛应用于光电子领域。基于光诱导效应的有机光敏场效应晶体管的跨导可以用来放大光电流,是实现全有机图像传感器很有前景的器件,是光敏晶体管研究方面的前沿课题。本论文从改进晶体管的结构入手,制备出了垂直构型的有机光敏场效应晶体管。使器件在制作过程中省去光刻等复杂工艺的同时将沟道长度降到了纳米量级,详细地分析了影响垂直构型有机光敏场效应晶体管（Vertical PhotOFETs）性能的各种因素。首先,制备并表征了基于MEH-PPV的Vertical PhotOFETs及其光敏特性。研究了不同介电层对器件光电性能的影响。在ITO玻璃上以SiO2为栅介电层的器件在源漏电压VDS=-5 V且栅压VGS=4 V时的“开/关”电流比约为8,“明/暗”电流比约为50,光敏感度为46 mA/W。MEH-PPV光敏层为90 nm时器件的光敏性能相对较好。其次,制备并表征了基于Pentacene的Vertical PhotOFETs及其光敏特性。在ITO玻璃上以SiO2为栅介电层的器件在VDS=10 V且VGS=-4 V时的“开/关”电流比约为70,“明/暗”电流比约为12,光敏感度为12 mA/W。以LiF为栅介电层的器件在VDS=10 V和VGS=-4 V时的“开/关”电流比约为6,“明/暗”电流比约为40,光敏感度为8 mA/W。Pentacene光敏层为80 nm时器件的光敏性能相对较好。另外,我们用开放环境高温氧化法在硅基上氧化生成180 nm氧化硅为栅介电层并制备了完整器件。以MEH-PPV为光敏层的器件在源漏电压VDS=-5 V和栅压VGS=2 V时的“开/关”电流比约为6,“明/暗”电流比约为10,光敏感度为13 A/W。以Pentacene为光敏层的器件在VDS=-2 V和VGS=5 V时的“开/关”电流比约为120,“明/暗”电流比约为30,光敏感度为22 A/W。在硅基上制备的器件因其漏电流较大,界面处聚集电荷较多使得源极与半导体层之间形成的肖特基势垒易被隧穿,导致器件的源漏电流较大,并且出现了零点漂移现象。