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半导体发光二极管具有高转换效率、寿命长等优点，被认为是下一代光源并将会取代目前使用的传统光源。然而就目前发光二极管的性能来看，要达到这一目的还有很多技术难点有待克服，需要在材料分析表征、器件分析技术等方面加大研究力度。本文针对5mm封装发光二极管器件及InGaAlP外延片，综合运用多种结构及组分分析技术：光学显微镜、超声扫描显微镜、扫描电子显微镜、X射线能谱、透射电子显微镜、二次离子质谱仪等，对发光二极管器件的封装结构以及芯片的结构、组分和界面状况进行了详细的分析观察。为器件的失效及结构分析，外延工艺的监控、改进和提高等提供了分析测试方面的技术参考。