微流控芯片中进行连续电泳分离时,随着分离持续进行,压力效应对迁移重现性产生了不良影响。表现为分离过程中微通道内出现反向于电渗流的压力回流,造成分析结果中峰高重现性和迁移时间重现性较差,峰高RSD和迁移时间RSD分别高达近20%和25%,严重影响了分析结果的准确性。本文通过实验观测,证实了压力回流的存在。针对由压力回流引起的压力效应这一现象展开研究,对其产生机理的两方面:静水压力和拉普拉斯力,通过计算分析了二者对于压力回流各自的影响程度,发现对于诱发压力回流的因素,在连续电泳分离的初期以拉普拉斯力为主;随分离持续进行,液面差升高带来的静水压力逐渐成为主要因素。但在整个分离过程中,拉普拉斯力对于导致压力回流出现的作用更为显著,不可忽略。在此基础上,提出改进措施,包括:减小微通道的水力直径、增大储液池直径、提高储液池的亲水性。通过流场仿真计算,优化了微流控芯片上微通道的水力直径。由此提出一种改进型微流控芯片。选用由湿法刻蚀技术制作的硅微模具,采用热压键合工艺制作改进型微流控芯片,微通道横截面为70μ×40μm,利用玻璃制作储液池,并且对其进行等离子体表面改性处理以提高储液池内壁的亲水性,利用热熔胶将亲水性储液池与微流控芯片实现粘结。在进行实验前,对提供毛细管电泳所需电场的直流高压电源进行了改进,通过上位机的RS232串口对直流高压电源进行实时控制,编写并调试了串口通信控制程序。在改进后的微流控芯片检测平台上,利用制作出的改进型微流控芯片进行连续电泳分离实验,分别考察了片间峰高重现性和片间迁移时间重现性,由该芯片得到的分析结果中,峰高RSD平均值为3.8%,迁移时间RSD平均值为0.578%,从而有效提高了峰高重现性和迁移时间重现性。