ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，在室温甚至高温下可以实现高效的激子复合发光，是一种理想的短波长发光器件材料。此外，ZnO作为一种半导体材料，它的性能是由其缺陷和杂质决定的。对ZnO进行掺杂，可以实现在可见光范围的多个发光峰，从而促进ZnO从研究走向应用，从材料走向器件，从实验室走向工厂。本论文中，我们采用溶胶凝胶法分别在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备了Li:ZnO薄膜和Eu:ZnO薄膜，并对其形貌、结构和光学性能进行了研究，最后以掺杂ZnO薄膜作为发光层，构建了ITO/掺杂ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，探索了电致发光器件的性质。首先，我们在ITO导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度以及不同退火温度的Li:ZnO薄膜，并且研究了其对ZnO薄膜的结构形貌和光学性质的影响。结果显示：当Li的摩尔比率为8%，退火温度为560℃时，薄膜的表面平整，结晶质量较好。随着掺Li浓度的增大，ZnO薄膜的禁带宽度减小，光致发光谱中可见光发光峰发生红移现象。随着退火温度的升高，禁带宽度先减小，当为610℃时，禁带宽度又增大。其次，我们在ITO导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度及不同退火温度的Eu:ZnO薄膜，对其结构形貌和光学性能进行了研究。当掺Eu摩尔比率为6%、退火温度为550℃时制备的薄膜(002)取向性较好，质量较高，光致发光谱中可见光的发光峰最强。此外，退火温度的升高导致禁带宽度减小，并且低温退火时，光致发光谱中可见光区域出现了来源于Eu3+的5D0→7F1的594nm和5D0→7F2的614nm的两个尖的发光峰。最后，我们分别构建了ITO/ZnO薄膜/Ag、ITO/Li:ZnO薄膜/Ag及ITO/Eu:ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，观察到了发光现象，并对器件的I-V曲线及电致发光EL谱做了分析。结果显示，ITO/ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，其I-V曲线显示出良好的整流特性，在EL谱中观察到485nm和595nm左右的较宽的发光峰。ITO/Eu:ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，其I-V曲线显示器件具有整流特性，当Eu所占摩尔比为6%时，从EL谱中可以观察到580nm、593nm、602nm左右的比较窄的发光峰以及650nm附近的较宽的发光峰，这可能来源于Eu3+的发光峰和ZnO的缺陷发光。