【摘 要】
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NiO是一种用途广泛的半导体材料,通常以绿色粉末状存在,它的分子量为74.70,具有立方晶体结构。在功能材料中,NiO薄膜具备了许多优异的性能,在热敏元件、气敏元件、光探测器等
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NiO是一种用途广泛的半导体材料,通常以绿色粉末状存在,它的分子量为74.70,具有立方晶体结构。在功能材料中,NiO薄膜具备了许多优异的性能,在热敏元件、气敏元件、光探测器等电子元件方面具有良好的应用前景。NiO薄膜的制备工艺有很多种,主要有脉冲激光沉积技术,溶胶凝胶法,化学气相沉积技术,喷雾热解法,分子束外延技术等等,各种制备工艺各具特点。这些制备技术及其制备时的工艺参数都会对NiO薄膜的厚度、表面形貌、结晶趋向以及光学、电学特性等性质有一定的影响。本论文采用射频反应磁控溅射法制备了NiO薄膜,并研究了溅射气压,溅射功率及氧氩比对NiO薄膜结构、光学等性质的影响。本论文在制备了NiO薄膜基础上,利用现有的实验条件制备了基于NiO薄膜的pn结型紫外探测器原理器件,并对器件的紫外光敏特性进行了初步研究,最后给出了结论。
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