ZnO薄膜的合成与特性的研究

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【摘要】

：

由于ZnO具有宽禁带(室温带隙3.37eV)和高激子结合能(60 meV)性质,使其制备的光电器件可在室温甚至更高的温度下工作,因而ZnO基材料在光电器件各个领域有广泛的应用。本文用湿化学合成法生长合成了ZnO列阵和薄膜,并对其特性进行了研究,主要工作如下：1、在经过不同处理的硅衬底：ODS化学处理的硅衬底上、Au过渡层的硅衬底上以及AlN过渡层的硅衬底上用湿化学法生长了ZnO六角结构紧密排列微纳

【作者】

：

郜展

【机构】

：

北京交通大学

【发表日期】

：

2011年01期

【关键词】

：

ZnO 湿化学法晶体结构发光性质

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