全球无线通信技术迅猛发展，3G长期演进LTE (Long Term Evolution)标准将成为未来无线通信技术的主流。TD-LTE上行调制方式采用单载波频分多址接入(SC-DFMA)，具有高的峰均比、严格的频谱掩膜和高的输出功率要求，对射频功率放大器的设计提出了很大的挑战。本课题针对2570-2620MHz频段，基于不同的工艺，展开了不同工作类型的射频功率放大器的设计工作，具体工作如下：1、采用IBM0.18μm SiGe BiCMOS工艺，在电源电压3.3V情况下，完成了工作于Class-AB类线性功率放大器的设计。在设计中采用两级结构，包括输入输出级间阻抗匹配网络的设计，并利用基极整流电阻以提高交流稳定和热稳性。最终完成了版图绘制、后仿真工作和测试工作。为进一步提高功率放大器的线性度和热稳定性，提出了改进方案。测试结果：输出1dB压缩点为16.5dBm，最大功率输出18dBm，功率增益16dB，PAE15%。2、采用UMC0.18μm CMOS工艺，在电源电压3.3V情况下，设计了工作于Class-E类的功率放大器。在设计中输入级工作于Class-AB类，输出级工作于Class-E类，并采用了有限并联电感的Cascode结构。最终完成了版图绘制，后仿真和流片工作。为进一步改善性能，提出了Doherty改进方案。后仿真结果：最大功率输出23dBm，功率增益28.62dB，PAE44.44%。