【摘 要】
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半导体过压保护器件是一种新型的电压抑制器。由于其响应速度快、体积小、性能稳定、短路保护及单位面积吸收浪涌能力强而广泛地应用于通信设备的抗浪涌保护电路中。半导体过
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半导体过压保护器件是一种新型的电压抑制器。由于其响应速度快、体积小、性能稳定、短路保护及单位面积吸收浪涌能力强而广泛地应用于通信设备的抗浪涌保护电路中。半导体过压保护器件的工作原理和基本结构与晶闸管类似,大多采用两端四层的PNPN结构,通过PN结的雪崩击穿或门极电流触发器件快速导通,从而在有电浪涌出现时对通信设备起到限压保护作用。本文对半导体保护器件的基本结构—晶闸管进行了深入的研究,运用理论分析结果对半导体保护器件LT62090的结构参数和工艺参数进行了设计;在工艺研究和大量实验工作的基础上,系统地分析了各项工艺参数和结构参数对器件性能的影响,并完成了版图设计和流片验证。测试结果表明,器件性能满足设计要求。
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