随着半导体集成电路技术蓬勃发展,现今半导体业升级速度很快。国内投资商由于资金相对短缺,大都靠进口的二手设备或国产设备来满足生产和工艺要求。国产很多设备在稳定性和重要参数方面都无法满足不断增长的工艺要求,因此进口的二手设备成为众多厂商追逐利润的最好选择。但是由于二手设备长期工作,某些设备的稳定性和多项工艺参数同样也很难满足客户对产品质量不断提高的要求。离子注入设备是半导体行业最为复杂和昂贵的设备之一,它的这种现象尤为明显。目前公司进口的20世纪80年代初的二手注入机均匀性方面已经无法满足工艺需要,方块电阻同片均匀性在5%左右、同批在7%左右,为了满足不断增长的客户需求,通过真空系统、离子源系统和扫描聚焦系统的改进使注入方块电阻的同片均匀性控制在1%以内、同批控制在2%以内,满足目前生产工艺要求。本文通过注入机原理分析,从离子的产生、传输和分析扫描聚焦三方面阐述对均匀性的影响因素,并通过Minitab软件对实验数据做模拟计算。离子的产生部分主要通过介绍离子源系统,分析影响因素,实验验证,最后作改进方案并作实验比较;离子传输部分主要介绍真空系统原理和其对均匀性的影响原因,实验分析最好的真空设定值,并改进设备真空以满足均匀性要求;分析、扫描和聚焦部分主要通过规范离子束的尺寸、提高离子纯度和扫描均匀性来完成注入离子的均匀性和唯一性。