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过去十多年,二维材料因其优异的性能被广泛应用于光电器件、新能源存储和功能传感等领域。而二维材料的大规模应用离不开大面积、高质量薄膜的可控制备。本论文主要围绕大尺寸单晶WS2、MoS2、MoS2/WS2异质结的可控制备这一问题,以化学气相沉积法(CVD)为手段,制备了 WS2、MoS2、MoS2/WS2异质结并研究了其摩擦性能。主要研究内容包括以下三部分:第一,利用改进CVD法制备了单层或少层MoS2纳米片。在热力学计算的指导下,我们通过多温区管式炉生长不同温度的MoS2纳米片,对反应温度和沉积温度有了更精准的掌控,研究了几个重要参考温度、反应源的浓度、衬底到反应源的距离、反应时间、氩气流速大小等生长因素对MoS2的影响。结果表明:温度对MoS2的形貌、尺寸大小和结晶质量有很大的影响,MoS2的尺寸随温度的升高而增大,当温度达到850℃时,MoS2转化为多边形;同时确定了最佳制备温度为800℃,在该温度下下制备的硫化钼纳米片尺寸可高达60μm;确定了MoO3为15mg、衬底到反应源距离1-2cm、反应时间15min、氩气流速100sccm时制备出的三角形MoS2纳米片结晶质量高、厚度均匀。第二,利用NaC1助熔剂辅助CVD法制备了单层或少层WS2纳米片,并用一步CVD法制备了 MoS2/WS2异质结。研究了生长温度、助熔剂与W03混合比例、反应时间以及衬底到钨源距离对制备出的WS2纳米片形貌的影响。用拉曼光谱仪、扫描电镜、原子力显微镜表征了制备出的WS2和MoS2/WS2异质结。结果表明:W03与助熔剂混合比例为7:1、反应时间为8min、衬底到钨源距离0.5cm、生长温度在助熔剂的熔点附近(850℃)时,制备出的样品结晶质量好、薄膜致密、厚度均匀,尺寸达到30μm。第三,基于原子力显微镜的方法研究了 CVD法制备的WS2、MoS2、MoS2/WS2异质结的摩擦性能。探究了层数和扫描速度对WS2、MoS2摩擦力的影响,发现平面外的褶皱效应是导致WS2、MoS2的摩擦系数随层数增加而减小的主要原因,且当扫描速度大于临界值3.0μm/s时,WS2、MoS2的摩擦力分别恒定在3.28nN和2.92nN,而扫描速度低于临界值时,摩擦力随扫描速度呈对数非线性增加。