脉冲激光沉积制备氧化钛薄膜及其阻变效应的研究

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【摘要】

：

阻变存储器作为下一代非易失性存储器的有力竞争者之一,在最近十多年来吸引了广泛的关注。作为阻变存储器的核心,阻变材料的阻变性能和阻变机制一直是相关研究方向中的热点问题。本文采用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了TiO_2为功能层的薄膜型阻变存储器单元。本论文通过控制TiO_2薄膜的沉积和退火工艺条件改变TiO_2薄膜中的

【作者】

：

张平

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2016年01期

【关键词】

：

阻变存储器脉冲激光沉积 TiO2 阻变效应阻变机理

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