【摘 要】
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ZnS是重要的ⅡB-ⅥA族直接带隙半导体材料,在光电器件中如发光二极管、激光器和紫外光探测器件中有重要的应用价值。众所周知,材料的光学性能与其带隙大小密切相关,因而有效调制ZnS带隙是调变其光学性能的前提。ZnS纳米线的带隙可通过调变其尺寸、组成和结构来实现,所以可控制备ZnS基一维纳米结构是调变其带隙的第一步。溶液固固（SSS）生长在可控制备金属硫化合物一维纳米结构方面具有无可比拟的优势。该生长
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ZnS是重要的ⅡB-ⅥA族直接带隙半导体材料,在光电器件中如发光二极管、激光器和紫外光探测器件中有重要的应用价值。众所周知,材料的光学性能与其带隙大小密切相关,因而有效调制ZnS带隙是调变其光学性能的前提。ZnS纳米线的带隙可通过调变其尺寸、组成和结构来实现,所以可控制备ZnS基一维纳米结构是调变其带隙的第一步。溶液固固（SSS）生长在可控制备金属硫化合物一维纳米结构方面具有无可比拟的优势。该生长方法中常采用Ag2S或Cu2-xS为催化剂,其他金属有机前驱体在催化剂表面解离、溶解,最终沿着界面能低的方向生长出一维纳米结构。本文的主要研究内容包括:（1）以Ag2S为催化剂,以[（C4H9）2NCS2]2Zn和[（C4H9）2NCS2]2Mn分别作为Zn和Mn的前驱体,在120℃通过多步的SSS生长来构建一系列新型的ZnS/MnS一维异质纳米结构,如Ag2S-ZnS/MnS、Ag2S-MnS/ZnS、Ag2S-ZnS/MnS/ZnS、Ag2S-MnS/ZnS/MnS等。采用X-射线衍射仪（XRD）表征产物的物相组成,采用透射电子显微镜（TEM）表征产物的形貌,采用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）表征产物的微观结构,采用紫外可见分光光度计（UV-Vis）表征产物的光学带隙,采用荧光光谱仪表征产物的发光性能。研究结果表明,成功合成了一系列Ag2S-ZnS/MnS、Ag2S-MnS/ZnS、Ag2S-ZnS/MnS/ZnS、Ag2S-MnS/ZnS/MnS异质纳米结构,产物的光学带隙和发光性能得到有效调制。（2）以Ag2S纳米颗粒为催化剂,以[（C4H9）2NCS2]2Zn1-xNix、[（C4H9）2NCS2]2Zn1-xCox、[（C4H9）2NCS2]2Zn1-xCux作为前驱体,通过SSS生长成功合成了一系列Ni、Co和Cu离子掺杂的ZnS纳米线。UV-Vis和PL的测试结果表明,产物的光学带隙和发光性能也得到了有效调制。
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