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氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,在室温或更高温度下能够实现高效发光。ZnO具有优良的光电特性,热稳定性和化学稳定性高,价格低廉而且环保无毒,这些突出的优点使ZnO成为最佳的短波长光电功能材料,并引起了科研工作者广泛的关注。在本论文中,我们采用化学浴沉积法制备ZnO纳米棒,并以ZnO纳米棒为发光层,构造了ITO/ZnO nanorods/Ag金属-半导体结构(MS)和ITO/ZnOnanorods/Alq3/Ag金属-绝缘体-半导体结