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随着无线通信技术的迅猛发展和互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的不断提高,使得基于CMOS工艺的无线射频集成电路(RFIC)得到广泛应用,并向着低功耗、小尺寸、高度集成方向发展。在点对点无线通信频段中,7.1-7.9GHz是最有可能用CMOS工艺实现的,因此本文设计了工作在此频段上基于CMOS工艺的窄带低噪声放大器。低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)作为整个射频接收系统第一级,直接影响着整个系统的性能。它的主要功能就是将从天线接收到的微弱信号进行放大,同时将其输出给后级的混频器,这个过程中引入的噪声必须很低,如果信号在这级引入较大的噪声或者没有将信号放大,那么其后的射频模块将无法对有用信号进行处理,所以在应用中低噪声放大器必须提供足够的增益以抑制后续级模块的干扰信号,同时满足最佳的噪声系数,提供良好的线性度,使其在较大的信号动态范围内保证系统工作的正常运行。文章首先介绍了选题背景、研究意义以及国内外对低噪声放大器的研究现状。其次在总结了相关文献资料的基础上,对放大器主要性能参数,二端口网络的噪声理论和MOSFET管噪声模型作了分析,通过对常见拓扑结构的比较,选择电感源极负反馈电路,结合MATLAB软件具体分析功耗约束条件下最佳MOS管栅宽的选择方法接着用微波射频电路仿真软件ADS设计了单级共源放大器、共栅放大器和共源共栅放大器,比较三种放大器性能的优缺点,得出只有共源共栅放大器可以做到噪声和功率同时匹配,并在共源共栅放大器的基础上设计两级级联放大器,提高了单级放大器的增益。最后研究了低功耗放大器的设计方法,分别对单级共源共栅放大器和两级级联放大器注入了直流分离技术和电流复用技术,做到射频性能基本不变的情况下,降低放大器的功耗。