随着紫外探测技术在生产生活及军事领域的广泛应用,获取成本低且性能优异的紫外探测器已成为当前最热门的研究方向之一。ZnO作为第三代宽禁带直接带隙的半导体材料,由于其优良的特性在光电器件应用中引起了广泛关注。为了改善ZnO薄膜的质量和提升其光电性能,从而制备出性能更好的ZnO紫外光电探测器,本论文进行了如下的研究工作:采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了不同退火处理下的ZnO薄膜,得到500℃氧气氛围中退火的ZnO薄膜具有最好的薄膜质量和电学性能。同时采用射频和直流共溅射的方法制备了 Nb和Sn掺杂的ZnO薄膜,Nb掺杂ZnO薄膜随直流溅射功率的增加,晶粒大小和表面粗糙度都减小,光学带隙逐渐增大,在10 W具有最好的电学性能;而Sn掺杂ZnO薄膜在直流溅射功率为15 W时,晶粒尺寸和表面粗糙度最小,同时电学性能最好。结果表明退火和掺杂的薄膜都具备更好的特性,这对探测器的性能提升奠定了基础。在制备得到的ZnO薄膜上制作了 MSM结构光电探测器,首先研究了不同电极材料选择对探测器的影响,发现Au电极比Ag电极探测器紫外响应性能更好;其次研究了不同退火处理对探测器的影响,得到500℃氧气氛围中退火时的探测器光暗电流比最大,瞬态时间响应也更快,365nm紫外光下的响应度为1.512 A/W,比探测率为2.88×1011 Jones;最后分别研究了 Nb和Sn掺杂对探测器的影响,得到Nb掺杂直流溅射功率为10 W时,光暗电流比最大且瞬态时间响应比未掺杂的器件提升了 6倍多,光响应度为5.7A/W,比探测率为1.09×1012 Jones,而Sn掺杂直流溅射功率为15 W时,探测器光暗电流比达到4个数量级,瞬态时间响应最快,光响应度为24.4 A/W,比探测率达到了 1.62×1013 Jones。结果表明通过退火和掺杂有效的提升了 ZnO紫外光电探测器的瞬态时间响应特性和光谱响应度,Sn掺杂直流溅射功率为15 W时,制备得到了性能最优的低成本ZnO紫外光电探测器。这些研究对ZnO在光电器件领域的应用具有一定的指导意义。