【摘 要】
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KTaNbO(KTN)薄膜材料是一种非常有应用前景的铁电材料,它具有良好的电光性能、非线性光学性能和热释电性能.但该薄膜的制备至今仍处于实验室研究阶段,距离实际应用还有一段路
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KTa<,1-x>Nb<,x>O<,3>(KTN)薄膜材料是一种非常有应用前景的铁电材料,它具有良好的电光性能、非线性光学性能和热释电性能.但该薄膜的制备至今仍处于实验室研究阶段,距离实际应用还有一段路程.其原因主要在于KTN薄膜的制备过程中,成膜温度高,界面反应剧烈;钾元素挥发,薄膜多孔,成分偏离且导致致密性差;薄膜组分不均匀;沉积速率低,制备时间长等等.因此优化工艺条件,寻找适当的制备技术,寻求克服上述缺点的途径,以制备高质量的KTN薄膜,是非常有价值的工作.
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