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随着纳米技术的发展,单晶硅纳米线(silicon nanowires,SiNWs)作为一维纳米材料,其优异的光电性能,使其在硅基纳米光电子器件及传感器等领域具有巨大的应用价值。在纳米尺度下,不同的微观结构、不同的微观尺寸以及不同的微观形貌使其性能具有很大的差异性。因此,大区域可控的硅纳米线阵列的制备,以及基于光刻技术的硅基图形化研究,在纳米/微米尺度的光电子器件性能改进上具有重大的意义。在本实验中,首先我们通过结合纳米球掩模板法(nanosphere lithography,NSL)和金属辅助化学刻