高质量FeSe薄膜制备条件探索

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在铁基超导体中,FeSe化学组成和结构简单,物性丰富,特别是超导转变温度T_c可调范围广,是铁基高温超导机理研究的理想载体。高质量的样品是保障深入研究其机理的前提。为了获得高质量FeSe薄膜样品,在课题组以往工作基础上,我们系统和细致地探索了脉冲激光沉积制备单晶薄膜过程中涉及的关键工艺参数,并基于机器学习初步探讨了生长条件与T_c的关系模型。本论文的具体研究内容如下:(1)探索了FeSe薄膜的最佳沉积温度。在CaF_2衬底下薄膜合适的生长温度为350℃,对比了不同温度下生长的样品的扫描电子显微镜图。
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