AlN薄膜具优异的物理化学性质，在光学、电学、力学和声学等方面有广阔的应用前景。尤其是(002)取向的AlN薄膜具有表面声波速率高，压电性能好，机电耦合系数大等特性，被广泛用作声表面波器件中的压电薄膜。本文采用MIS800型多功能离子束磁控溅射复合镀膜设备，分别在金刚石/Si、Si、玻璃衬底上制备出了高质量的AlN薄膜，并对其性能进行了研究。首先，采用反应磁控溅射、离子束辅助沉积、离子束溅射方法分别制备了AlN薄膜，反应磁控溅射和离子束辅助沉积制备的薄膜为晶态，且呈现出较高的(002)晶面择优取向度，而离子束溅射制备的薄膜为非晶态。脉冲磁控溅射沉积的AlN薄膜的表面光滑致密，而直流磁控溅射沉积的AlN薄膜的表面则存在较多的大颗粒。离子束辅助在金刚石/Si、硅、玻璃衬底均沉积出高(002)晶面择优取向的薄膜，但Si衬底上的薄膜表面较为疏松多孔。脉冲磁控溅射沉积AlN薄膜的速率最快，并且沉积的AlN薄膜的粘接性能较好，而离子束辅助和离子束溅射的沉积速率较低。其次，在衬底与薄膜之间引入异质过渡层，研究了过渡层对AlN薄膜结构和性能的影响。引入Al、Mo、Ti等过渡层后，AlN薄膜为(002)晶面择优取向，但薄膜的粘接强度将会降低。引入TiN过渡层后，薄膜仍为(002)晶面择优取向，但取向度较低。引入ZnO过渡层，能够显著的提高AlN薄膜的(002)晶面择优取向度，薄膜为高(002)晶面择优取向。虽然Si衬底上TiN和ZnO过渡层的引入能在一定程度上提高薄膜的粘接强度，但薄膜的粘接强度仍然不够理想。最后，为提高AlN薄膜的(002)晶面择优取向度以及薄膜的粘接强度，采用离子束辅助沉积的方法引入一层同质过渡层。同质过渡层的引入，使得在不同的靶基距和不同衬底温度的条件均能诱导生长出高度(002)取向的AlN薄膜，并且制备出的AlN薄膜具有高的粘接强度和低的表面粗糙度。