磷酸盐和硅酸盐电解液中微弧氧化膜生长及腐蚀行为研究

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本文以AA1060纯铝作为基体材料,用自制的WH-1A型微弧氧化电源控制装置在碱性六偏磷酸钠和硅酸钠电解液中对其进行微弧氧化处理,研究了纯铝基微弧氧化膜层的组织结构演变过程,物相元素组成以及微弧氧化膜层在3.5 wt.%NaCl溶液中的腐蚀行为;利用“两步法”研究了微弧氧化膜的生长行为以及其对膜层耐蚀性的影响。研究表明,在恒流条件下,碱性六偏磷酸钠电解液中,随着处理时间的延长,铝基微弧氧化膜生长速度逐渐转慢,同时膜层表面微缺陷增多,耐蚀性下降。电化学剥离膜层分析表明,膜层/基体界面处存在一层约为1μm的致密层,且该致密层厚度在处理过程中几乎不发生变化,但致密性略有下降。膜层电化学测试表明,该膜层内层致密层对膜层耐蚀性的贡献远大于其外层多孔层。表面元素分析和开路电位测试表明,膜层表面Al/O比随着处理时间延长逐渐升高,膜层的开路电位逐渐降低。浸泡实验表明微弧氧化膜层的腐蚀过程包括腐蚀产物的生成-迁移-溶解-再生成过程。膜层的溶解与膜层中非晶相和腐蚀液的反应有关。“两步法”实验表明,硅酸根离子可以通过与膜层中γ-Al2O3反应而快速进入膜层。六偏磷酸钠有助于均匀化膜层的向内生长,细化放电通道。电化学测试表明硅酸钠电解液不利于膜层内层阻挡层耐蚀性的提高,“两步法”可以通过改变膜层结构来提高硅酸钠电解液中制备膜层的耐蚀性。
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