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溴氧化铋(BiOBr)是一种新型的半导体光催化材料，属于PbFCl型四方晶系的P4/nmm(No.129)空间点阵结构，双Br–离子层和[Bi2O2]2+层交替排列，赋予了溴氧化铋优异的电子结构、光吸收性质和催化性能，引起研究者的广泛关注。但是，由于BiOBr的导带位置较低，光生电子的还原能力不高，导致其光催化效率受限。因此，如何改性BiOBr光催化材料以提高光生电子的还原能力，成为目前亟待解决的关键问题。贵金属负载可改善BiOBr材料的光催化性能。本文首先采用水解法制备了纯BiOBr，然后