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近年来,石墨烯及其它二维材料的光致发光吸引了越来越多科研工作者的兴趣。不同于具有直接能隙的单层二硫化钼或二硫化钨薄膜,石墨烯是一种无能隙的二维半金属材料,其本身并不发光,其经过特定的物理或化学方法改性后会产生光致发光效应。目前,人们普遍采用湿法化学氧化来实现石墨烯在某一试剂中的光致发光,包括氧化石墨烯、还原氧化石墨烯、石墨烯量子点。然而,利用干法刻蚀直接在石墨烯薄膜上制备具有光致发光的纳米结构对于其在光子和光电子领域的应用至关重要。本论文中,我们利用干法紫外光臭氧化方法直接刻蚀Si/SiO_2基底上