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太赫兹(Terahertz,THz)波是指频率在0.1-10THz范围内的电磁波,介于毫米波与红外波之间。与其它波段的电磁辐射相比具有瞬态性、宽带性、低能性、穿透性、惧水性等独特性质。太赫兹探测器是太赫兹科学技术应用的关键器件之一,太赫兹波吸收材料及吸收结构是高性能太赫兹探测器的重要保障。本论文针对太赫兹吸收展开超材料结构及多孔粗糙材料的设计与制备研究。超材料结构被证实可以高效吸收设定频段太赫兹波辐射,但该结构与基于微测辐射热计的探测单元兼容性差,本论文设计了基于微桥结构的超材料图形并进行了分析优化。本文先设计尺寸为56μm×56μm十字架超材料结构,CST仿真软件模拟结果表明,该结构在2.52THz处对太赫兹波的吸收率近100%;通过该超材料结构的电场、表面电流、功率流、功率损耗等的信息分布可以看出吸收的太赫兹波辐射电场主要分布在顶层结构上,吸收频率主要由顶层结构决定,入射太赫兹辐射的功率损耗主要分布在介质层。本文还设计了不同尺寸和厚度的超材料结构,通过CST仿真确定了超材料结构对太赫兹辐射吸收的关系。为了将超材料图形与微桥结构兼容需缩小超材料图形尺寸,本文设计了一种顶端扩展的十字架结构,尺寸单元为28μm×28μm,仿真模拟表明该结构对相同频率的太赫兹波也能实现将近100%的吸收。同时,对设计的结构进行了实际制备,测试结果表明,对太赫兹辐射有明显的吸收峰。本文还设计新颖的锯齿状微型天线对结构,与一般的天线相比具有尺寸小的特点,该结构在2.75THz处对太赫兹波的吸收率接近1。制备完成的天线结构测试表明对太赫兹辐射有明显的吸收峰。在多孔粗糙表面吸收方面,本文设计并用直流电化学腐蚀法制备了单层多孔硅结构。通过优化实验参数确定了直流电流参数为0.125A,腐蚀时间为20-30min,可以制备效果较好的单层多孔硅。在单层多孔硅表面镀上厚度20nm的NiCr金属薄膜,这种复合结构作为太赫兹辐射吸收层,通过测试发现多孔硅与NiCr薄膜相结合的吸收层对太赫兹辐射的吸收率最高能达到33.5%。