三氧化二镓具有五种晶相结构,其中β-Ga₂O₃有着优异的化学稳定性和热稳定性。其禁带宽度在4.9 eV,对应日盲波段,完美适用于日盲紫外探测器。当前可以通过湿化学法或物理法制备获取晶格排列较好的β-Ga₂O₃晶体,其方法简单、安全。尽管β-Ga₂O₃在日盲紫外探测器领域具有巨大的应用前景,但是关于β-Ga₂O₃薄膜内部所存在的缺陷类型,以及缺陷浓度的检测还是没有明确的实验支持。另外,目前报道的薄膜型β-Ga₂O₃日盲探测器,还存在响应度不够高、响应时间不够快等缺点。基于上述分析,本文先开展β-Ga₂O₃薄膜缺陷研究,在此基础上,使用脉冲激光沉积（PLD）技术,在c面蓝宝石上生长β-Ga₂O₃薄膜,并以此薄膜制备Ga₂O₃基日盲探测器。主要工作如下:1)采用PLD技术在c面蓝宝石上沉积β-Ga₂O₃薄膜,通过改变生长条件,实现对β-Ga₂O₃薄膜质量的调控。通过对同一温度、不同压强下生长的薄膜进行光致发光（PL）研究、x射线光电子能谱（XPS）分析其内部存在的缺陷类型和浓度。由PL和XPS分析结果,得到β-Ga₂O₃薄膜的缺陷能级跃迁谱。β-Ga₂O₃薄膜内存在与缺陷相关的发光辐射;3.3 eV的紫外光来源于两个OⅡ-s位置相关的自俘获空位,3.0 eV的蓝光来自于(V_Ga+V_O)^1-空位对,2.7 eV的蓝光来源于GaⅡ（octahedral）位置的(1^1-_{（6）空位。2}利用PLD方法在c面蓝宝石上制备掺N的β-Ga₂O₃薄膜,延用第一个工作优化的生长工艺,将O₂氛围更换为N₂O环境。通过调控生长时间,制备单层纯β-Ga₂O₃器件,单层Si:β-Ga₂O₃器件,单层N:β-Ga₂O₃器件,以及双层N:β-Ga₂O₃/Si:β-Ga₂O₃器件。使用Pt（50 nm）电极在不同器件表面制备出叉指电极,得到肖特基结型的日盲光电探测器。单层N:β-Ga₂O₃器件展现出高响应度R=29.9 A/W,快的响应时间t_R=0.52 s、t_D=0.64 s,以及较高的光暗电流比688(I_light/I_dark=688)。而双层N:β-Ga₂O₃/Si:β-Ga₂O₃器件展现最快的光响应速度和最大的光暗电流比,除此以外,双层器件还展现出了优异的自驱动特性;为制备自供电器件提供了参考。