本文设计并制备出CoSi2合金靶材，溅射相应的薄膜体系。分析测试表明，薄膜中元素分布均匀，与靶材成分基本吻合。研究了非晶薄膜晶化与相变过程，发现薄膜晶化后首先析出CoSi相，部分Si原子固溶在CoSi中，随着加热温度的升高，最终转变为CoSi2结构。研究了薄膜的组织结构及性能，建立了丝织构测量的简易方法，实现薄膜织构的定量测量。完善了X射线衍射的线形分析方法，精确测量了薄膜材料中的晶粒尺寸及显微畸变等。 探讨了溅射功率、基片温度及后续热处理等参数对薄膜组织结构、表面形貌以及导电性的影响。结果表明，溅射速率与溅射功率呈线性关系。随着溅射功率的增大，晶化薄膜中(111)织构增强，电阻率有所降低。随着基底温度的升高，薄膜织构最初增强，到达最高值后则降低。随着热处理退火温度的升高，薄膜电阻率最初下降，到达最低值后则升高。 改进X射线应力测量方法，将掠射、侧倾、内标及抛物线定峰结合起来，确保了应力测量精度。结果表明，薄膜内部存在中等水平的压应力，沿薄膜纵深方向分布均匀，表现出典型平面应力特征。