SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性,因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料.该文主要研究SiC场效应晶体管的特性和制作工艺.论文分析建立了4H-SiCMOSFET和MESFET器件的结构模型和物理模型,采用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiCMOSFET和MESFET的输出特性进行了模拟分析,研究了温度和结构参数对器件特性的影响,表明两种器件的击穿特性均没有负阻现象,击穿电压分别达到85V和209V,由此得到4H-SiCMESFET最大功率密度可达到19.22W/mm;同时,研究了SiC场效应晶体管的制作工艺,初步得到了一套制造SiCMOSFET器件的制造工艺流程,研制出了4H-SiCMOSFET器件.