论文部分内容阅读
该论文丰富发展了SiC单晶材料的溶剂热合成新路线,在高压釜中制得了SiC单晶纳米丝和单晶片.单晶丝直径尺寸分布在10-100nm,最长可达30μ m;单晶片横向尺寸分布在0.2-6μm,呈现规则的单晶外形.根据反应现象和产物结构特征,提出SiC的单晶材料是以气-液-固(VLS)生长机制生长.金属K在制备过程中既起了还原剂作用,又起了溶剂的作用.金属K提供了材料生长的液相环境,其用量的不同直接的导致了生长基元的不同过饱和度,从而导致了SiC产物的丝状和片状的不同结构.丝状结构的枝杈生长和片状结构的层状生长,都是材料液相生长特性的反映,对其生长细节,展开了深入的讨论.同时关注了纳米丝和单晶片的择优取向生长特性,对其生长初始阶段的成核长大过程进行了合理的讨论,认为它们在成核后都趋向最密堆积面的生长,而导致了择优取向生长的现象.