隧穿电离是强激光场与物质相互作用的基本过程,电离出的电子波包在激光脉冲的驱动下振荡,一部分电子返回母核并与之发生散射。此过程引发了一系列非线性现象,如高阶阈上电离、高次谐波的产生和非次序双电离等。隧穿电离后,具有相同末态动量的电子波包相互干涉,在光电子动量谱中形成丰富的干涉结构。其中强场光电子全息干涉是重要的干涉结构之一,利用光电子全息干涉可以探测电子与母核的超快动力学信息。本文研究了隧穿电离中的光电子全息干涉,探讨了电子的电离和返回时间对多次回复全息干涉的影响。同时还研究了在红外光辅助下的阿秒单光子电离全息干涉,并从中提取了电子初始位置。论文的主要研究内容如下:（1）研究了氙原子在正交双色场中的多次回复光电子全息干涉。利用数值求解含时薛定谔方程发现全息干涉条纹随着正交双色场的相对相位产生周期性的偏移,并且条纹的偏移依赖于纵向动量。通过提取偏移量取极小值处的相位,揭示了一次回复和多次回复全息条纹的偏移量对纵向动量的依赖具有差异性。利用强场近似模型发现这种差异性来源于电子的电离时间和返回时间,通过分析多次回复全息干涉条纹随相对相位的偏移可以探测电子在隧穿电离过程中的时间信息。此外,研究证明了库伦相互作用对一次和多次回复干涉条纹偏移的影响可以忽略。（2）提取了阿秒条纹场中氢分子离子的电子波包初始位置。利用数值求解含时薛定谔方程研究了阿秒脉冲的持续时间和频率对全息干涉条纹的调控作用。此外,研究发现全息干涉条纹在不同分子轴取向下产生了偏移,通过对全息干涉条纹进行分析得到直接电子和散射电子之间的相位差,利用差分法提取了在不同分子轴取向下的电子波包初始位置信息。