绝缘栅极双极晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）具有高输入阻抗，大电流能力，低通态压降等优点，其应用领域非常广泛。高压及新一代IGBT（2500V以上、TRENCH-FS结构）的核心技术都掌握在国外大公司手里，造成我国在机车牵引、智能电网等关系到国家安全及民生领域的产品都需要进口，严重制约着我国在多方面的发展。基于此，在02重大专项的牵引下，和国内某企业合作，进行具有FS结构的3300V IGBT研制，所研制的样管满足前期设计要求，该项目的研制成功为我国在高压及新结构IGBT的研制方面奠定了一定的基础。文中内容如下：1．简要介绍IGBT的理论知识，并分析各个结构参数与器件性能的主要关系。对现有IGBT的元胞结构进行分析整理，对比各自优劣。2．在分析的基础上，初步确定具有FS结构的3300V IGBT元胞的结构、形状、重要参数的取值区间，结合现有生产条件设计工艺流程，并在此基础上通过仿真软件MEDICI进行仿真优化以得到符合要求的元胞参数。3．在仿真结果的基础上，进行不同元胞结构的版图绘制，并通过不同的分片条件流片进行对比，流片结果显示所设计的IGBT满足要求，耐压大于3500V，在电流为8A时，通态压降在2.7V以下。