作为一种新型的宽禁带(WBG)半导体材料,碳化硅(SiC)凭其出色的物理特性越来越收到工业界的关注。作为当今最流行的WBG功率器件,SiC MOSFET已被广泛地研究并应用于高频变流器。在电力电子应用中,由于电感负载和杂散电感的存在,漏电流突变产生的反电势可能会迫使功率MOSFET发生雪崩击穿,甚至损坏器件。分析SiC MOSFET的雪崩击穿特性对理解器件失效机理和更好的应用器件起着至关重要的作用。非钳位感性开关(Unclamped Inductive Switching,UIS)状况通常被认为是功率MOS管在电力电子应用中所遭受的最极端应力情况,目前国内外功率半导体器件通用的雪崩特性测试方法也选用非钳位感性开关测试(UIS test)。本文基于UIS测试原理,设计了雪崩测试硬件电路和上位机监测平台,搭建了功率MOSFET雪崩测试系统。对Cree公司的C2M0280120D和C3M0280090D SiC MOSFET进行不同实验条件下的非破坏性和破坏性UIS测试,并总结其雪崩特性。基于传统结温估算公式,对UIS测试中器件的平均结温和雪崩击穿状态期间的瞬态结温进行估算。此外,建立了器件关断后UIS电路的等效模型,分析了在非破坏性的UIS测试中漏源极间产生振荡波的原理,提出了一种新颖的输出电容测试方法,推导了输出电容的计算方法,并通过对器件的输出电容进行测试,证实了该方法和平台的可行性。