互补氧化物金属半导体(CMOS)技术在现在的无线通信技术中的应用是越来越广泛的,因为这种技术具有两个优点,一是成本低,二是集成度高,能节约芯片面积。低噪声和高增益的放大器一般处于无线通信系统的第一级,整个无线通信系统的信噪比(SNR)主要是由系统前端的放大器和系统的噪声系数决定的。放大器电路处于前端,后级信号传递需要首先经过这个放大器,因此,具备优质性能的前端放大器模块对于整个无线通信系统来说是非常重要的。在国外,采用CMOS工艺制作集成电路的技术已经很成熟了,许多有实力的企业、高等院校、科研单位已经在低噪声放大器、混频器和收发器的制作中用到了CMOS工艺技术。国内在这一方面开始的工作比较晚,取得的成果也很少,而且大多是使用的GaAs技术。最近几年,一些高等院校、科研单位才开始研究采用CMOS工艺制作射频放大器电路。本文的主要工作是：(1)对整个放大器电路的功率进行了限制,在这一功耗限制下对电路的噪声系数进行优化设计；(2)通过串联电路的反馈方法,使电路在功耗约束的前提下实现了输入噪声的同时匹配；(3)使用了共源共栅结构来设计放大器电路,并采用优化方法,抵消了结构中存在的电容寄生效应,提高了放大器的线性度和增益。(4)引入LC谐振回路,剔除高感值电感,使电路在具备了良好的隔离性的同时,还保证了其稳定性,而且没有增加功耗。在设计低噪声放大的时候,采用CMOS工艺,除了代表了先进的工艺技术之外,还可以使射频前端电路的工艺集成技术与基带信号处理的工艺集成实现统一,这迎合了集成电路的片上系统发展趋势,也是无线通信系统前端放大器的发展潮流,同时这种工艺在使用价值上也是很高的。因此,对CMOS低噪声放大器的研究是十分有意义的。