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寻找可再生、廉价、清洁的新能源已成为当前人类面临的迫切问题。太阳能是一种取之不尽、环保的可再生能源,有关光伏转化半导体材料的开发已成为研究热点。CuInSe_2(简称为CIS)是一种直接带隙材料,光吸收系数高达10~5数量级,是目前已知光吸收性能最好的半导体材料。涂覆法可以在非真空条件下制备大面积、成分均匀的CIS薄膜,在这种工艺条件下,制备适合成膜需要的颗粒大小均匀、成分符合标准化学剂量比的CIS纳米粉末是关键。本文通过溶剂热合成工艺制备了CIS微米/纳米结构,通过透射电镜、扫描电镜、X