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本文采用溶胶凝胶法制备PZT薄膜,研究薄膜的改性工艺及其在微执行器中的应用,表征改性后薄膜的晶向、微观结构、介电、铁电、抗疲劳和振动性能。通过研究缓冲层工艺和掺杂改性工艺对PZT薄膜生长的影响,探讨PZT缓冲层引导生长机理和掺杂改性机理。全文包括以下三个部分:(1)研究PbTi O_3缓冲层和不同铅含量的PZT缓冲层对PZT薄膜生长的影响。制备含PbTi O_3缓冲层的PZT薄膜,其性能测试结果表明,(100)晶向的PbTiO_3缓冲层引导PZT薄膜的(100)择优取向生长,提高薄膜的(100)晶向