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本文对SiGe HBT中基区杂质外扩现象进行了系统研究。首先，建立了基区杂质外扩模型，得出了基区杂质外扩后基区杂质分布和杂质外扩对器件电学参数的影响。然后，在高温存贮和电应力条件下对SiGe HBT进行可靠性试验，试验结果证明基区杂质外扩将导致器件电流增益和特征频率严重退化。为了抑制基区杂质外扩对器件性能的影响，实践中通常采用SiGe或Si本征阻挡层结构，我们对在不同基区杂质外扩距离（5nm、10nm、15nm）下SiGe和Si本征阻挡层模型进行了模拟。通过对比不同厚度SiGe和Si阻挡层对器件电流增益和特征频率的影响得出，二者具有不同的基区杂质外扩阻挡效果：SiGe阻挡层能有效抑制电流增益和特征频率退化；Si阻挡层能有效抑制特征频率退化，而对电流增益的退化改善不大。同时还对本征层厚度及适用范围进行了优化：通常情况下应选用与基区杂质外扩距离相当厚度的SiGe作为阻挡层，但应考虑到SiGe材料的稳定性和SiGe应变层临界厚度的限制；在对电流增益要求不高的情况下，可以选用略小于基区杂质外扩距离厚度的Si作为阻挡层。