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深能级陷阱对4H-SiC PiN器件的影响

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：JK0803yaohai

【作 者】

：

王成达 

【出 处】

：

西安电子科技大学

【发表日期】

：

2021年01期

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