【摘 要】
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信息功能铁电薄膜材料因具有良好的性能,被广泛研究并应用于各个领域。在这些应用当中,铁电随机存储器(FeRAM)相比于当前的存储器,具有非挥发性、低功耗、高存取速度、高读写次数、高存储密度、强抗辐射能力、与现有半导体工艺兼容性良好等优点被公认为是具有潜力的一代存储器。因为铁电存储器的抗辐射能力强,所以它在空间及其它辐射环境的应用中也非常具有潜力。但是对于铁电薄膜材料及其器件的辐射效应研究,存在两大问
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信息功能铁电薄膜材料因具有良好的性能,被广泛研究并应用于各个领域。在这些应用当中,铁电随机存储器(FeRAM)相比于当前的存储器,具有非挥发性、低功耗、高存取速度、高读写次数、高存储密度、强抗辐射能力、与现有半导体工艺兼容性良好等优点被公认为是具有潜力的一代存储器。因为铁电存储器的抗辐射能力强,所以它在空间及其它辐射环境的应用中也非常具有潜力。但是对于铁电薄膜材料及其器件的辐射效应研究,存在两大问题:(1)已有的研究主要集中在PZT薄膜材料,而当前急需寻找可替代PZT的无铅薄膜材料;(2)已有的对于
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