【摘 要】
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集成电路制造技术一直按照摩尔定律不断向前发展，提高光刻分辨力是现代光刻技术的核心内容，而提高光刻分辨力的主要手段是进一步增大光刻物镜的数值孔径和缩短曝光波长，与此同时
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集成电路制造技术一直按照摩尔定律不断向前发展，提高光刻分辨力是现代光刻技术的核心内容，而提高光刻分辨力的主要手段是进一步增大光刻物镜的数值孔径和缩短曝光波长，与此同时芯片尺寸越来越大，采用直接成像步进曝光的方式，光刻物镜的难度已经到了极点，采用193nm的曝光波长、大数值孔径、狭缝视场结合掩模硅片步进扫描技术是光刻技术发展的必然。本论文系统研究步进扫描投影光刻机的原理，讨论步进扫描光刻机的坐标体系及坐标系变换，分析对准方式和对准过程，在此基础上建立同步扫描光刻机工件台的X、Y、θ<,Z>步进运动模型，掩模台和工件台X、Y、θ<,Z>同步扫描运动模型，以及步进和扫描时硅片在Z、θ<,X>、θ<,Y>，实时调平调焦运动模型。
主题词：光学光刻、同步扫描、控制算法、工件台、对准、调平调焦
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