自2004年将石墨烯成功剥离以来,人们对二维材料的特性及合成兴趣激增。类石墨烯材料已被应用在诸多领域。单层过渡金属二硫化物(TMDCs)由于其独特的特性在近年来备受关注。首先,单层TMDCs的晶格结构也是六角形蜂窝结构,与石墨烯不同的是,单层TMDCs没有空间反演对称性,这就导致它在第一布里渊区内K和K?两能谷是自旋极化的;其次是它可观的直接带隙,这弥补了石墨烯在谷电子学领域的空缺。本文基于三能带紧束缚模型,采用递归格林函数方法,对Z形单层TMDCs纳米带进行模拟计算,将其电极区、散射区尺寸进行调控,然后对不同尺寸下Z形单层TMDCs纳米带局部散射区施加不同强度的门电压,探究各项参数对器件输运性质的影响。通过计算得出,在一定范围内适当改变纳米带尺寸、对散射区局部施加不同强度的门电压可以对透射概率、反射概率、谷极化率等输运性质造成影响。同时本文还计算了费米能(可看作电子入射的能量)的选取对不同的各项参数下的纳米带所造成的输运方面的影响。计算结果表明施加外界条件可以控制谷的行为,从而印证了操控谷自由度的可行性,为谷电子学的发展提供了新的思路和方向。